Південнокорейська компанія SK Hynix Inc. оголосила про інвестиції у розмірі 54 трильйонів вон (приблизно $38 мільярдів) для розширення виробничих потужностей у країні з метою подвоєння обсягів випуску чипів пам'яті.
Другий за величиною у світі виробник пам'яті планує збудувати новий завод з виробництва оперативної пам'яті DRAM у місті Йонін, а також підприємство з виготовлення флешпам'яті NAND у Чхонджу. Ці кроки спрямовані на подолання глобального дефіциту чипів пам'яті та задоволення зростаючого попиту, який значно посилився в епоху штучного інтелекту.
Як повідомляє Bloomberg, будівництво заводу Yongin Y2, другого з чотирьох запланованих у напівпровідниковому кластері Йоніна, розпочнеться в липні 2025 року. Запуск першого чистого приміщення для виробництва високосмугової пам'яті (HBM) та інших DRAM наступного покоління заплановано на червень 2029 року.
Розширення заводу Cheongju M17 стартує у лютому 2026 року з метою запуску чистого приміщення наприкінці 2028 року. Загальний інвестиційний період триватиме до квітня 2031 року. Південна Корея має на меті подвоїти національні потужності з випуску пам'яті протягом п’яти років.
Попри оголошення про масштабні інвестиції, акції SK Hynix на біржі в Сеулі впали на 4,9%. Однак після повідомлень про намір компанії представити новий план повернення капіталу акціонерам у третьому кварталі падіння було частково компенсоване.